用語集¶

TCT: Transient Current Technique。レーザーで生成した電荷による過渡電流を測定する手法。
DUT: Device Under Test。被測定デバイス（センサー）。
空乏層 (depletion region): 自由キャリアがなく、電場がかかっている領域。ここで生成された電荷が信号に寄与する。
全空乏化電圧 (full depletion voltage, \(V_\text{fd}\)): センサーの厚さ全体が空乏化する電圧。
重み電場 (weighting field): 注目する電極を 1 V、他の電極を 0 V にしたときの電場。Shockley–Ramo の定理で誘起電流を求めるのに使う。
CCE: Charge Collection Efficiency。電荷収集効率。
LGAD: Low Gain Avalanche Detector。内部に増幅層を持ち、10〜数十倍程度の利得を持つシリコンセンサー。
PIN ダイオード: 増幅層を持たない基本的なダイオード構造のセンサー。LGAD のゲイン評価の基準に使う。
MIP: Minimum Ionizing Particle。最小電離粒子。
フルエンス (fluence): 単位面積あたりに照射された粒子数。1 MeV 中性子等価 (n_eq/cm²) で表すことが多い。
トラッピング (trapping): 放射線損傷による欠陥準位にキャリアが捕獲されること。
Edge-TCT: センサーの側面からレーザーを入射して深さ方向を走査する TCT。
TPA-TCT: Two-Photon Absorption TCT。2 光子吸収を用いて 3 次元の分解能を得る TCT。
CFD: Constant Fraction Discrimination。振幅の一定割合で時刻を決める方法。
バイアスティー (bias tee): 直流バイアスと高周波信号を分離・合成する素子。

広島の装置・GUI に関する用語¶

AC-LGAD: AC-coupled LGAD。LGAD の増幅層の上に連続した n+ 抵抗層と AC 結合電極を置いた構造。信号が抵抗層を広がって複数の電極に分配されるので、電極ピッチより細かい位置分解能が得られる。
ePIC / bTOF: EIC（電子・イオン衝突型加速器）の ePIC 実験と、そのバレル部の飛行時間検出器。AC-LGAD ストリップを使う。
laser_gui: 広島の TCT 装置の制御 GUI（AC-LGAD レーザースキャン制御 GUI）。オシロ・ステージ・レーザー・カメラを 1 つのウィンドウで操作する。
TUNE: PiLAS レーザーのパルスの強さを決める設定値 [%]。0 % が最強、100 % が最弱。最適値は繰り返し周波数で変わる。
TRIG OUT: レーザーコントローラのトリガー出力。オシロの外部トリガー (EXT) に入れ、時刻の基準にする。
論理座標 / 論理原点: GUI が使うセンサー基準の座標 [µm]。原点は X = 外枠 (GND) エッジ、Y = 基準 CH の電極中心、Z = 焦点。
機械座標 / 機械原点: ステージコントローラの機械原点 (H:W) を基準にした座標。GUI が R:W を跨いで追跡する。
H:W / R:W / M:W / L:W: SHRC-203 のコマンド。H:W は機械原点復帰、R:W は論理原点リセット（現在位置を 0 にする）、M:W は相対移動、L:W は停止。
M-ORG: ジョイスティック JS-301 からの機械原点復帰。GUI の機械座標の追跡が切れるので、GUI の H:W を使う。
原点出し: レーザー信号を物差しにして、焦点・電極中心・外枠エッジを自動で求め、論理原点を決める処理。
フル較正: 原点出しに加えて、センサーの傾き係数 dY/dX、dZ/dX、dZ/dY を実測する処理。
シーケンスモード / セグメント: オシロが 1 回のトリガーごとの波形（セグメント）を多数まとめて取得するモード。1 点あたり 2000 セグメントが標準。
PAVA / PKPK: LeCroy の波形パラメータ。GUI は振幅の読み取りに使う（PKPK はピーク・ツー・ピーク）。
TRIGTIME: LeCroy のシーケンス波形で、各セグメントのトリガー時刻。到達時刻の原点に使う。
VICP: LeCroy 独自の LAN 制御プロトコル（ポート 1861）。
MIP 相当: レーザーの波高を、ビームテストで測った MIP の信号量（DESY ビームテストのストリップ中間で隣接 2ch 合計 64 mV など）に合わせた状態。